石墨烯/铁电界面的外在与本征电荷俘获
介观与纳米尺度物理
2014-08-27 v1 材料科学
摘要
研究了石墨烯与铁电超晶格 (PTO/STO) 之间的界面。通过调节 PTO/STO 的体积分数来调控居里温度，从而最小化石墨烯 - 铁电界面处的吸附物，使得能够展示出稳健的铁电迟滞现象。源自铁电表面缺陷的本征电荷陷阱会对石墨烯沟道的迟滞特性产生不利影响，但可通过仔细的样品制备进行控制，从而实现对电荷俘获机制的系统研究。
引用
@article{arxiv.1408.6169,
title = {Extrinsic and Intrinsic Charge Trapping at the Graphene/Ferroelectric Interface},
author = {Mohammed Humed Yusuf and Bent Nielsen and Matthew Dawber and Xu Du},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.6169},
year = {2014}
}
备注
25 pages, 5 figures. Published online in Nano letters, Article ASAP, August 18, 2014, http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nl502669v