石墨烯场效应晶体管中电流滞回行为分析
应用物理
2018-04-17 v1
摘要
本报告通过栅压-源漏电流调制，分析了 PEI:LiClO4 与 PEG:LiClO4 电解质栅和背栅石墨烯-on-SiO2 场效应晶体管(FET)的滞回行为。结果表明，扫描速率与扫描范围均会以狄拉克点偏移或电流变化的形式引起滞回行为。提出了电荷俘获与双电层电容效应等不同机制，对背栅与电解质栅 FET 上的该行为进行定性解释，并部分由现有实验结果所证实。
引用
@article{arxiv.1804.05542,
title = {Analysis of Current Hysteresis in Graphene Field Effect Transistor},
author = {Y. Yao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.05542},
year = {2018}
}
备注
15 pages, 6 figures