MoS$_2$-on-SiO$_2$ 场效应晶体管中界面陷阱的阻塞转变
介观与纳米尺度物理
2024-01-10 v1 材料科学
摘要
少层 MoS-on-SiO 场效应晶体管在栅极扫描下的电导率在冷却时显示出迟滞的突变性降低。MoS 沟道的迟滞与时间依赖性电导率利用界面陷阱占据态的动力学建模。发现迟滞的降低在接近 225 K 的阻塞温度处最为急剧。这归因于热能与势垒能之间的相互作用，并利用后者的分布进行拟合。此外，被阻塞陷阱中存储的电荷在低温下通过在合适栅极电压下冷却来编程。因此，在 80 K 温度下近乎无迟滞器件中的阈值栅极电压可在宽范围内可逆调控。
引用
@article{arxiv.2303.13902,
title = {Blocking transition of interface traps in MoS$_2$-on-SiO$_2$ FETs},
author = {Santu Prasad Jana and Suraina Gupta and Anjan K. Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.13902},
year = {2024}
}
备注
14 pages, 13 figures