MoS$_2$场效应晶体管中与气体相关的滞回现象
介观与纳米尺度物理
2023-06-28 v1
摘要
我们研究了电应力、气体压力和气体类型对单层二硫化钼（MoS2）场效应晶体管转移特性中滞回现象的影响。MoS2晶体结构中缺陷和点空位的存在促进了氧、氮、氢或甲烷的吸附，这强烈影响晶体管的电学特性。尽管气体吸附不改变导电类型，我们证明了滞回宽度与MoS2表面吸附能之间的相关性。我们表明滞回可通过压力和/或气体类型调控。滞回呈现两个明显分离的电流水平，尤其当气体稳定吸附于沟道时，这可用于存储器件。
引用
@article{arxiv.2306.15353,
title = {Gas dependent hysteresis in MoS$_2$ field effect transistors},
author = {F. Urban and F. Giubileo and A. Grillo and L. Iemmo and G. Luongo and M. Passacantando and T. Foller and L. Madauß and E. Pollmann and M. P. Geller and D. Oing and M. Schleberger and A. Di Bartolomeo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2306.15353},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 5 figures