欠交叠 MoS$_2$ FET 中电可调的室温迟滞交叉
应用物理
2020-05-15 v1 材料科学
摘要
具有石墨烯和 MoS 沟道的场效应晶体管（FET）电流-电压转移特性中顺时针到逆时针迟滞的交叉，在非易失性存储器应用方面具有重大前景。然而此类交叉仅在高温度下显现。在这项工作中，我们首次通过使用栅-漏欠交叠设计，在少层 MoS FET 中实现了室温迟滞交叉，该设计诱导 MoS-HfO 沟道-栅介质界面处陷阱对施加栅偏压的差分响应。欠交叠 FET 中高栅压下界面陷阱驱动的逆时针迟滞的出现，可明确归因于欠交叠的存在，因为带与不带欠交叠区域的晶体管制备于同一 MoS 沟道薄片上。该欠交叠设计还实现了逆时针迟滞窗口（140）以及交叉栅压（2.6）随施加漏偏压和欠交叠长度在室温下的调谐。在环境及真空条件下、不同扫描速率与温度（RT、45 C 和 65 C）下对转移曲线的全面测量，有助于区分吸附物、界面陷阱和体 HfO 陷阱对顺时针与逆时针迟滞的定量贡献。
引用
@article{arxiv.2005.07106,
title = {Electrically Tunable Room Temperature Hysteresis Crossover in Underlap MoS$_2$ FETs},
author = {Himani Jawa and Abin Varghese and Saurabh Lodha},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.07106},
year = {2020}
}
备注
Manuscript- 19 pages and supporting information- 3 pages 5 figures