SrTiO$_3$ 表面偶极子在 MoS$_2$/SrTiO$_3$ 场效应晶体管中阻挡态转移与逆时针滞回现象
介观与纳米尺度物理
2024-10-22 v1
摘要
在 SrTiO（STO）栅极 MoS 场效应晶体管（FET）的迁移特性中观察到室温下逆时针滞回现象，并将其归因于 STO 表面的双稳态偶极子。滞回现象随着栅压扫描范围的增大以及扫描速率的减小而增加。滞回在接近 350 K 时达到峰值，而在室温以上，传导率随温度升高而上升。这归因于热能与分离两个偶极子状态之间能垒之间的相互作用导致的阻挡态转移。所讨论的偶极子以 STO 表面 puckered 氧离子位移的形式出现。最后，阻挡效应使 FET 的阈值栅压可在低温下控制范围较大，从而将其作为一种热助记忆器件予以演示。
关键词
引用
@article{arxiv.2410.15112,
title = {Blocking transition of SrTiO$_3$ surface dipoles in MoS$_2$/SrTiO$_3$ field effect transistors with counterclockwise hysteresis},
author = {Santu Prasad Jana and S Sreesanker and Suraina Gupta and Anjan K. Gupta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.15112},
year = {2024}
}
备注
8 pages, 7 figures