电解质门控石墨烯场效应晶体管中漏电流的根源
介观与纳米尺度物理
2022-06-14 v1
摘要
石墨烯场效应晶体管被广泛用于开发生物传感器。然而，关于其工作细节的某些基本问题尚未被完全理解。其中之一便是电解质门控构型中门（漏）电流的存在。在此，我们报告了关于化学气相沉积（CVD）生长石墨烯上该现象成因的观察。我们观察到，门电流反映了晶体管表面发生的电流，类似于电化学池中工作电极-对电极对的电流。在场效应测量中，当石墨烯沟道被空穴掺杂时门电流为容性，被电子掺杂时为法拉第电流。法拉第电流归因于水溶液中溶解氧的还原，其大小随每次测量而增加。我们采用带有氧化还原探针 Fc(MeOH)2 的循环伏安法来表征导致此活化的石墨烯结构变化。总之，我们的结果表明，随着晶体管表面催化氧还原的进行，出现了更多缺陷。
引用
@article{arxiv.2011.05913,
title = {Origins of leakage currents on electrolyte-gated graphene field-effect transistors},
author = {A. Svetlova and D. Kireev and D. Mayer and A. Offenhaeusser},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.05913},
year = {2022}
}