基于波函数扩展的垂直场效应晶体管
介观与纳米尺度物理
2011-08-22 v4
摘要
我们展示了一种双层垂直场效应晶体管的工作机制，其中近乎耗尽一层会使其波函数扩展以与另一层重叠，从而增加隧穿电流。我们在一个特殊设计的GaAs/AlGaAs器件中表征了这一效应，在低温下观察到隧穿电流增加了两个数量级，并建议将该设计推广到其他材料体系，如石墨烯。
引用
@article{arxiv.1008.0668,
title = {Vertical Field-Effect Transistor Based on Wavefunction Extension},
author = {Adam Sciambi and Matthew Pelliccione and Michael P. Lilly and Seth R. Bank and Arthur C. Gossard and Loren N. Pfeiffer and Ken W. West and David Goldhaber-Gordon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0668},
year = {2011}
}