基于双极性石墨烯/MoTe2垂直晶体管的模拟电路应用
介观与纳米尺度物理
2018-02-05 v1
摘要
当前基于传统MOS-FET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的集成电路（IC）技术随着能耗需求的增长正逼近微型化的极限。与现有技术相比，基于石墨烯FET的若干模拟电路应用已以更少的元件得到展示。然而，石墨烯的半金属性质导致的低开关电流比严重阻碍了其实际应用。在此，我们报道一种具有V形双极性场效应转移特性的石墨烯/MoTe2范德瓦耳斯（vdW）垂直晶体管以克服这一挑战。对输运特性温度依赖性的研究表明，器件的可栅极调控非对称势垒是双极性行为的成因。此外，为展示此类vdW垂直晶体管的模拟电路应用，我们成功实现了输出极性可控（OPC）放大器和倍频器。这些结果使基于vdW异质结的电子器件为电信领域的广阔前景开辟了新可能。
引用
@article{arxiv.1801.01742,
title = {Analog Circuit Applications based on Ambipolar Graphene/MoTe2 Vertical Transistors},
author = {Chen Pan and Yajun Fu and Jiaxin Wang and Junwen Zeng and Guangxu Su and Mingsheng Long and Erfu Liu and Chenyu Wang and Anyuan Gao and Miao Wang and Yu Wang and Zhenlin Wang and Shi-Jun Liang and Ru Huang and Feng Miao},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.01742},
year = {2018}
}
备注
To appear on Advanced Electronics Materials; 26 pages, 5 figures, 7 supplementary figures