SiO2/Si衬底上全石墨烯场效应晶体管的侧栅泄漏与场发射
介观与纳米尺度物理
2016-07-14 v2
摘要
我们采用单一光刻步骤制备了平面全石墨烯场效应晶体管，其自对准侧栅距主石墨烯导电沟道100 nm。我们展示了在1V以下的侧栅调控，电导调制为35%，在10 mV漏极偏压下跨导高达0.5 mS/mm。我们在宽电压范围内测量了沿SiO2/真空栅介质的平面泄漏，报道了在15 V以上电流快速增长。我们揭示了驱动泄漏的微观机制，即通过SiO2的Frenkel-Poole输运直至真空中Fowler-Nordheim隧穿的激活，后者在高压下占主导。我们报道了石墨烯薄片间高达1uA/um的场发射电流密度。这些发现对于原子级薄器件的小型化至关重要。
引用
@article{arxiv.1601.04476,
title = {Side-gate leakage and field emission in all-graphene field effect transistors on SiO2/Si substrate},
author = {Antonio Di Bartolomeo and Filippo Giubileo and Laura Iemmo and Francesco Romeo and Saverio Russo and Selim Unal and Maurizio Passacantando and Valentina Grossi and Anna Maria Cucolo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.04476},
year = {2016}
}
备注
Research article, 8 pages, 5 figures