并五苯薄膜中与氧相关的陷阱：能级位置及其对晶体管性能的影响
材料科学
2009-12-21 v1
摘要
我们研究了氧气对并五苯薄膜中电子陷阱态的影响。这是通过在薄膜晶体管上进行栅控四端测量来实现的，测量作为温度的函数，并且从未将样品暴露于环境空气中。结果表明，并五苯的光氧化导致陷阱态峰值位于距迁移率边0.28 eV处，陷阱密度约为10^18 cm^{-3}。这些陷阱态首先需要被占据，并导致自由载流子数量减少，即自由空穴密度随栅压的变化发生一致偏移。此外，暴露于氧气会降低迁移率边以上载流子的迁移率。我们将这些输运参数的变化与基本器件参数（即亚阈值性能和有效场效应迁移率）的变化关联起来。这项研究支持了电荷输运中存在迁移率边的假设，并有助于详细理解有机场效应晶体管的一个重要退化机制。有机场效应晶体管中的深陷阱通过减少自由载流子数量及其在迁移率边以上的迁移率来降低有效场效应迁移率。
引用
@article{arxiv.0807.3001,
title = {Oxygen-related traps in pentacene thin films: Energetic position and implications for transistor performance},
author = {Wolfgang L. Kalb and Kurt Mattenberger and Bertram Batlogg},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.3001},
year = {2009}
}
备注
13 pages, 14 figures, to be published in Phys. Rev. B