电荷陷阱在原子级薄晶体管性能中的作用
介观与纳米尺度物理
2017-05-05 v1 材料科学
摘要
在通过栅电极施加脉冲循环期间，测量了原子级薄 MoTe 场效应晶体管中的瞬态电流。基于一个新提出的电荷陷阱动力学模型分析了这些瞬态，该模型使得阈值电压的随时间变化成为主导通道迟滞行为的主要因素，而非电荷陷阱的发射电流。所提出的模型有望有助于理解主导原子级薄 FET 性能的基础物理，并适用于整个原子级薄器件类别。因此，该模型对于快速且高效的光电器件的智能化设计至关重要。
引用
@article{arxiv.1703.05678,
title = {Role of Charge Traps in the Performance of Atomically-Thin Transistors},
author = {Iddo Amit and Tobias J. Octon and Nicola J. Townsend and Francesco Reale and C. David Wright and Cecilia Mattevi and Monica F. Craciun and Saverio Russo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.05678},
year = {2017}
}
备注
25 pages, 7 figures, including the supporting information