有机薄膜晶体管模型的批判性评估
介观与纳米尺度物理
2018-12-24 v1 材料科学
应用物理
摘要
薄膜晶体管(TFTs)是测定材料电荷载流子迁移率的广泛使用的工具。迁移率以及接触电阻等进一步的晶体管参数通常从电学特性中提取。然而，对此类提取参数的信任有限，因为其数值依赖于提取技术以及底层晶体管模型。我们提出一种技术以确立所选模型是否足以表征晶体管工作。这一两步技术分析了具有不同沟道长度的一系列 TFT 的电学测量。第一步通过将完整的输出与转移特性拟合到晶体管模型，提取各个晶体管的参数。第二步检验所提取参数的沟道长度依赖是否与模型一致。我们针对在半导体、接触与几何上各异的不同有机 TFT 组展示了该技术的价值。与晶体管组别无关，我们的技术一致揭示出最先进的晶体管模型未能重现正确的沟道长度依赖。我们的技术表明，当代晶体管模型需要在迁移率的电荷载流子密度依赖方面和/或考虑晶体管沟道中未补偿电荷方面加以改进。
引用
@article{arxiv.1812.08800,
title = {Critical Evaluation of Organic Thin-Film Transistor Models},
author = {Markus Krammer and James W. Borchert and Andreas Petritz and Esther Karner-Petritz and Gerburg Schider and Barbara Stadlober and Hagen Klauk and Karin Zojer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.08800},
year = {2018}
}
备注
20 pages, 10 figures