含栅压电阻依赖性接触电阻的晶体管的迁移率与阈值电压提取

新兴半导体（如二维半导体、氧化物半导体、有机半导体）的迁移率通常从晶体管电压-电流测量中估算。然而，这类器件常常会出现接触性调制（contact gating），即栅极电场在测量期间调制接触电阻，这可能导致常规提取技术将迁移率估算错误，误差可超过2倍。通过在高栅源电压、|$V_\mathrm{gs}$|下进行测量可最小化此误差，但这一程序在新兴器件中常难以实现，因为后者可能存在较高的接触电阻或早期栅介质击穿。本文提出一种在不要求高|$V_\mathrm{gs}$|条件下提取含栅压电阻依赖性接触电阻的晶体管迁移率的方法，能够在新兴晶体管中实现准确的迁移率提取，即使存在强接触性调制。该方法基于更新的传递长度法（TLM），可在常规技术导致迁移率高估>2倍的情形下实现<10%的误差。