μ₂T(n)：一种提取两端纳米器件中载流子浓度依赖迁移率的方法
介观与纳米尺度物理
2025-08-11 v1
摘要
利用霍尔效应测量半导体中载流子迁移率随载流子浓度的变化是量化散射机制的黄金标准。然而，对于纳米结构，霍尔效应并不适用，迁移率对浓度的依赖性通常无法获取，这使得霍尔效应测量难以实施。在此，我们提出 μ₂T(n)，这是一种新方法，使我们能够在零磁场下，从传统的电导-栅压测量中提取两端测量的纳米级场效应晶体管中浓度依赖的迁移率。我们对照标准霍尔测量验证了 μ₂T，然后将该方法应用于 256 个独立的两端 InAs 纳米线 FET，提取了关于散射机制的信息。为了说明其广泛实用性，我们重新分析了已发表的、其中迁移率被视为与浓度无关的数据。我们的方法为优化和开发对广泛新技术至关重要的纳米材料提供了一种强大的新工具。
引用
@article{arxiv.2508.06173,
title = {$\mu_\mathrm{2T}(n)$: A Method for Extracting the Density Dependent Mobility in Two-Terminal Nanodevices},
author = {Christian E. N. Petersen and Damon J. Carrad and Thierry Désiré and Daria Beznasyuk and Jung-Hyun Kang and Dāgs Olšteins and Gunjan Nagda and Dennis V. Christensen and Thomas Sand Jespersen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.06173},
year = {2025}
}