非厄米效应对 2H-MoS$_{2}$ 弹道输运与量子化霍尔电导率的影响

通过设计多通道毫米级霍尔测量构型，我们实现了对 2H MoS$_{2}$ 输运性质的载流子密度（局域）可控测量。我们观察到霍尔电导率随直流电流增大而线性增加，电阻率呈指数下降。只要磁场高于临界值（对 2H-MoS$_{2}$ 为 $B=6$ T），本征大带隙对我们的测量并未表现出太大影响。取而代之的是作为一维通道结果而出现的边缘效应。这不同于广泛应用于半导体的 Corbino 几何，后者不存在边缘。在室温下，我们观察到两种测量中出现的量子化量子霍尔平台具有相同的值，这意味着量子化电导率不依赖于非厄米相互作用，而依赖于部分填充朗道能级的数目，这与先前理论工作一致\cite{Siddiki}。在低温极限下，由于费米能级以上电子的滤波贡献，霍尔平台被破坏，此时两种测量表现出更强的差异，我们在较高温度存在霍尔平台之间的电流区间观察到更强的（电压、电导率、电阻率）涨落。