非厄米 Chern 绝缘子的霍尔电导
介观与纳米尺度物理
2018-12-26 v1
摘要
在本快报中，我们研究了非厄米 Chern 绝缘子的霍尔电导，并定量描述了霍尔电导如何偏离量子化值。我们表明非厄米项对霍尔电导的影响有两方面。一方面，它展宽了每个能带的态密度，因此总存在一个非普适的体态贡献。另一方面，它给边缘态增加了衰减项，因此拓扑贡献也偏离了量子化的 Chern 数。我们给出了一个通用两能带非厄米 Chern 绝缘子的拓扑贡献的简单公式，作为 Thouless-Kohmoto-Nightingale-de Nijs 公式的非厄米版本。它表明偏离量子化值随非厄米项强度增大或随非厄米项动量依赖性增大而增加。我们的结果可在合成非厄米拓扑系统中直接验证，其中非厄米项的强度可被控制。
引用
@article{arxiv.1806.06566,
title = {Hall Conductance of a Non-Hermitian Chern Insulator},
author = {Yu Chen and Hui Zhai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.06566},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 2 figures