非厄米 Chern 绝缘体中的非量子化边缘通道电导与零电导涨落

量子化电导平台与零电导涨落是厄米 Chern 绝缘体手性边缘态中电子输运的普遍结果。此处我们表明，当允许非厄米性时，通过手性或螺旋边缘通道的电子输运物理变得丰富得多。在边缘态具有有限寿命的不平衡非厄米情形下，边缘通道的电导不被量子化，但其电导涨落为零。然而，对于平衡非厄米情形，手性边缘态具有无限寿命，且电导如同厄米 Chern 绝缘体情形一样被量子化。非量子化与量子化的零电导涨落电导平台均对无序具有鲁棒性。我们提出一个理论解释非量子化电导平台的起源。此处揭示的物理对于其他拓扑材料（如量子反常霍尔系统、Weyl 半金属与拓扑超导体）中的手性与螺旋表面态亦应成立。