连接引线的陈绝缘体中的近邻效应与拓扑不变量

量子霍尔系统和陈绝缘体（CI）中观测到的鲁棒量子化霍尔电导，目前被认为是基于不与引线耦合的孤立系统的拓扑。人们假设引线充当惰性储库，仅向样品提供/吸收电子。在一个圆柱几何构型中CI与引线耦合的模型中，我们表明这一假设并不成立。在CI的近邻区域，边缘电流泄漏到引线中，只有当这一新颖的近邻效应被考虑时，霍尔电导才是量子化的。对于特殊的引线选择，我们将电导与系统的拓扑不变量联系起来，用散射态反射系数相位的绕数来表示。