非厄米 Chern 绝缘体中的普适霍尔电导标度
介观与纳米尺度物理
2021-04-07 v1
摘要
我们研究了一个与环境耦合导致增益和损耗的二维 Chern 绝缘体的霍尔电导。引入双正交线性响应理论，我们表明足够强的增益和损耗会导致霍尔电导出现特征性的非解析贡献。在其起始点附近，该贡献作为狄拉克质量、化学势和增益强度的函数表现出幂次为 3/2 的普适幂律。我们的结果为电子输运实验中非厄米拓扑的研究铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2009.10455,
title = {Universal Hall conductance scaling in non-Hermitian Chern insulators},
author = {Solofo Groenendijk and Thomas L. Schmidt and Tobias Meng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.10455},
year = {2021}
}
备注
5+3 pages, 2 figures