Scifaro

中文

(赝)无质量狄拉克电子分数量子霍尔效应的 Chern-Simons 理论

介观与纳米尺度物理 2011-09-02 v1

作者: Huabi Zeng

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

通过对相互作用的二维(赝)狄拉克电子的微观哈密顿量执行统计规范变换，我们推导出了其有效场理论。预期的量子化霍尔电导为 $\sigma_{xy}=\frac{e^2}{h}(2k-1)$ ，其中 $k$ 为任意整数。此外还存在具有分数电荷并服从分数统计的拓扑激发。

关键词

Chern-Simons 理论分数量子霍尔效应狄拉克电子拓扑激发霍尔电导

引用

@article{arxiv.1109.0071,
  title  = {Chern-Simons Theory of Fractional Quantum Hall Effect in (Pseudo) Massless Dirac Electrons},
  author = {Huabi Zeng},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1109.0071},
  year   = {2011}
}

备注

7 pages, no figures