非晶拓扑物质中的临界性——超越普适标度范式

我们建立了非晶 Chern 绝缘体中临界输运的理论，并表明它超越了以量子霍尔跃迁为代表的当前拓扑临界性范式。我们考虑了渗流型随机晶格上的 Chern 绝缘体模型，其中平均密度决定了几何的统计性质。尽管这些系统在临界密度附近表现出双参数标度行为，但临界指数和临界电导分布却显著非普适。我们的分析表明，非晶拓扑临界性源于低密度下的几何型跃迁与高密度下的 Anderson 局域化型跃迁之间的插值。我们的工作展示了最近发现的非晶拓扑系统如何表现出不同于传统研究对应物的独特现象。