拓扑绝缘体表征：地面态多重态的 Chern 数
强关联电子
2009-11-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出使用普通 Chern 数来表征拓扑绝缘体。该方法适用于低维量子流体的数值表征，因为强量子涨落阻止了形成常规有序。通过扰动边界条件的参数，可为有限系统中接近基态的几个能级（形成带有可能（拓扑）简并性的基态多重态）定义非阿贝尔 Chern 数。当该多重态的能级与上述能级分离明显时，将系统定义为拓扑绝缘体。 translational 不变的扰动至关重要，以便仅捕获不含边态的 bulk 属性。作为一个简单例子，将该方法应用于具有 Ising 各向异性的二维 自旋系统，其中基态多重态由两个接近简并的能级组成。由于对称性，得到的 Chern 数为零。简要讨论了一般分数量子霍尔态的 Chern 数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0412344,
title = {A Characterization of Topological Insulators: Chern Numbers for a Ground State Multiplet},
author = {Yasuhiro Hatsugai},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0412344},
year = {2009}
}
备注
2 figures