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高陈数拓扑平带中的分数量子陈绝缘体

强关联电子 2012-11-06 v3 高能物理 - 理论 数学物理 math.MP 量子物理

摘要

形成具有更高陈数能带的晶格模型为物质新相提供了诱人的可能性,这些新相在连续朗道能级中没有类似物。在这里,我们建立了在陈数C=N>1C=N>1的平带中,在分数填充下存在若干新的体绝缘态,这些态形成于最近提出的具有强自旋-轨道耦合的烧绿石模型中。特别地,我们发现了令人信服的证据,表明存在一系列稳定态:费米子态在ν=1/(2N+1)\nu=1/(2N+1),玻色子态在ν=1/(N+1)\nu=1/(N+1)。通过检查拓扑基态简并度、激发结构以及纠缠谱,我们得出结论这些态是阿贝尔的。我们还明确证明,由于底层能带结构的新奇性质,这些态与传统的量子霍尔(多层)态有本质区别。

关键词

引用

@article{arxiv.1206.3759,
  title  = {Fractional Chern Insulators in Topological Flat bands with Higher Chern Number},
  author = {Zhao Liu and Emil J. Bergholtz and Heng Fan and Andreas M. Laeuchli},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1206.3759},
  year   = {2012}
}

备注

5+4 pages. Final version. Main text as published, some extra data in the supplementary material