分数陈绝缘体中的体-边对应
强关联电子
2013-08-28 v2 高能物理 - 格点
量子物理
摘要
最近人们认识到，拓扑布洛赫带中的强相互作用会导致新奇物质态的出现。本文通过推广柱面几何中的规范固定Wannier-Qi构造，研究了这些系统——分数陈绝缘体与分数量子霍尔态之间的联系。与之前在环面上进行的精确对角化研究相比，我们的设置具有若干重要优势。最显著的是，它可以访问边缘态和单割轨道纠缠谱，从而研究体-边对应的物理。它也很容易在最新的密度矩阵重正化群方法中实现，从而可以对显著更大的系统进行数值模拟。我们以红宝石和kagome晶格上的平带模型为例，在玻色子填充分数ν=1/2和ν=1处展示了我们的通用方法，这些模型显示出(非)阿贝尔相的迹象，并建立了边缘态物理与体纠缠之间的对应关系。值得注意的是，我们发现非阿贝尔ν=1相可以在存在约束势的情况下通过纯在位相互作用来稳定。
引用
@article{arxiv.1304.1323,
title = {Bulk-edge correspondence in fractional Chern insulators},
author = {Zhao Liu and D. L. Kovrizhin and Emil J. Bergholtz},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.1323},
year = {2013}
}
备注
A study of fractional Chern insulators on cylinders using DMRG and exact diagonalization. 5 pages, 4 figures