量子模拟拓扑绝缘体中自旋陈数的测量
量子物理
2021-09-29 v1
摘要
自拓扑绝缘体发现以来,量子系统的拓扑已成为一个备受关注的话题。然而,作为拓扑绝缘体的标志,自旋陈数尚未被实验探测到。直接测量该拓扑不变量的挑战在于该自旋陈数是基于人工构造的波函数定义的。在此,我们利用冷原子实验模拟著名的Bernevig-Hughes-Zhang模型,随后用线性响应理论测量自旋陈数。我们观察到,尽管每个自旋分量的陈数定义不良,但当能隙与自旋隙均不消失时,由其差值所测得的自旋陈数仍然定义良好。
引用
@article{arxiv.2107.13110,
title = {Measurement of spin Chern numbers in quantum simulated topological insulators},
author = {Qing-Xian Lv and Yan-Xiong Du and Zhen-Tao Liang and Hong-Zhi Liu and Jia-Hao Liang and Lin-Qing Chen and Li-Ming Zhou and Shan-Chao Zhang and Dan-Wei Zhang and Bao-Quan Ai and Hui Yan and Shi-Liang Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.13110},
year = {2021}
}
备注
12 pages, 9 figures