陈绝缘体中的安德森局域化与拓扑转变
介观与纳米尺度物理
2015-09-03 v2 强关联电子
摘要
我们分析了基于二分晶格的、具有非平庸拓扑的无序二维系统的拓扑转变与局域化演化。具有时间反演对称性破缺的陈绝缘体，当无序实现仅选择性地分布于其中一个子晶格上时，表现出非标准行为。陈数在比等分布无序情况强得多的无序强度（高一个数量级）下仍然存活，且强无序情况下的终态为金属态。
引用
@article{arxiv.1502.05026,
title = {Anderson localization and topological transition in Chern insulators},
author = {Eduardo V. Castro and M. Pilar López-Sancho and María A. H. Vozmediano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.05026},
year = {2015}
}
备注
Minor changes. Published version