semi-Dirac 材料中的光致 Chern 绝缘态
强关联电子
2016-09-01 v3 材料科学
摘要
二维 (2D) semi-Dirac 材料的特征是在一个方向上具有二次色散，在正交方向上具有线性色散。我们研究了在电磁场存在时此类 2D 系统中的拓扑相变。我们证明，在光存在的情况下，具有两个无质量 Dirac 节点的 semi-Dirac 系统中会出现 Chern 绝缘态。特别地，我们证明圆偏振光的强度可以用作产生具有非零 Chern 数的拓扑态的旋钮。此外，对于固定的光强度和频率，具有两个带隙 Dirac 节点且能带拓扑平凡的 semi-Dirac 系统可以表现出作为光偏振函数的拓扑转变。
引用
@article{arxiv.1606.04864,
title = {Photoinduced Chern insulating states in semi-Dirac materials},
author = {Kush Saha},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.04864},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 4 figures