横向图案化半导体异质结构中的陈绝缘态
介观与纳米尺度物理
2016-11-23 v2
摘要
六角图案化的二维 型半导体系统是具有强且高度可调自旋轨道相互作用的石墨烯量子模拟器。我们证明，在低对称性半导体界面中存在的晶体各向异性下，施加纯面内磁场可使陈绝缘相在量子相变后从原有的拓扑绝缘态中产生。这些相的特征是在无朗道能级或回旋运动的情况下，存在成对的同向传播边缘模式和霍尔电导率 。基于当前的刻蚀技术，预测陈绝缘转变将在约 的磁场下于 GaAs 异质结构中发生。
引用
@article{arxiv.1606.05098,
title = {Chern insulating state in laterally patterned semiconductor heterostructures},
author = {Tommy Li and Oleg P. Sushkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.05098},
year = {2016}
}