从半狄拉克色散中涌现的陈绝缘态
材料科学
2015-11-04 v1
摘要
本文证明在典型的半狄拉克体系 TiO2/VO2 异质结构中存在陈绝缘体（量子反常霍尔绝缘体）相。通过将第一性原理计算与基于 Wannier 的紧束缚模型相结合，我们计算了贝里曲率分布，发现价带的陈数为 -2，并证明了无能隙手性边缘态的存在，确保了霍尔电导量子化为 2e^2/h。我们提出了一个新的半狄拉克模型，其中每个半狄拉克锥由三个常规狄拉克点合并而成，以揭示具有有限陈数的非平凡拓扑如何与半狄拉克电子谱相容。
引用
@article{arxiv.1507.01742,
title = {Emergence of a Chern-insulating state from a semi-Dirac dispersion},
author = {Huaqing Huang and Zhirong Liu and Hongbin Zhang and Wenhui Duan and David Vanderbilt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.01742},
year = {2015}
}
备注
12 pages, 3 figures