陈绝缘体中由能带结构调制诱导的拓扑相变
介观与纳米尺度物理
2022-03-31 v1 其他凝聚态物理
摘要
本文研究了陈绝缘体拓扑性质在电子色散可从类狄拉克型平滑调控至半狄拉克型及更远的系统中的演化。在此受控形变下的能带结构表明，两个狄拉克点相互靠近，在中间点（点）合并，此处低能谱变为无隙，在空间中呈现各向异性狄拉克特征，并被称为半狄拉克极限，然而能谱中最终再次打开能隙。通过对布里渊区（BZ）积分贝里曲率得到的陈数相图显示“拓扑”叶瓣逐渐收缩，并在电子色散的半狄拉克极限之外恰好消失。因此，在半狄拉克点处发生了从拓扑相到平庸相的相变。反常霍尔电导平台的消失以及手性边缘态在点附近与体态能带的合并，为所观测到的相变提供了有力的支持。
引用
@article{arxiv.2010.09631,
title = {Topological phase transition induced by band structure modulation in a Chern insulator},
author = {Sayan Mondal and Priyadarshini Kapri and Bashab Dey and Tarun Kanti Ghosh and Saurabh Basu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2010.09631},
year = {2022}
}