具有声子诱导拓扑交叉的 Dirac 费米子的电导率
强关联电子
2015-06-17 v1 介观与纳米尺度物理
光学
摘要
我们研究了单层有隙 Dirac 费米子材料中的霍尔电导率，其中包括与声子场的耦合，该耦合不仅通过通常的自能项修正准粒子动力学，还直接重整化能隙。因此，Berry 曲率被修正。随着温度升高，重整化能隙的符号可能发生变化，材料可能在更高温度 (T) 下从带绝缘体交叉过渡到拓扑绝缘体。为谷霍尔电导率和自旋霍尔电导率定义的有效陈数显示出随温度升高而呈现丰富的相图。虽然自旋和谷直流霍尔电导率在升高温度下不再量子化，但随 T 增加而发生的符号变化是拓扑交叉的明确指示。由于拓扑交叉，主要被特定谷吸收的圆偏振光的旋性可能随温度而变化。
引用
@article{arxiv.1311.1153,
title = {Conductivity of Dirac fermions with phonon induced topological crossover},
author = {Zhou Li and J. P. Carbotte},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.1153},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 5 figures, to appear in Phys. Rev. B