声子诱导的拓扑绝缘体

我们发展了 Dirac 材料中声子诱导拓扑绝缘体的近似理论。在弱耦合机制下，长波声子可能有利于具有直接且窄带隙的 Dirac 绝缘体中的拓扑相。这一现象源于电子 - 声子矩阵元，其在能带反转下发生定性变化。类似的机制适用于弱库仑相互作用和自旋无关无序；然而，这些因素对能带拓扑的影响很大程度上与温度无关。作为该理论的应用，我们分别评估了 CdTe/HgTe 量子阱和 BiTl(S$_{1-\delta}$Se$_{\delta})_2$中拓扑转变的临界厚度和临界化学计量比的温度依赖性。