声子诱导的 IV-VI 族半导体拓扑绝缘相
材料科学
2015-09-30 v1
摘要
利用第一性原理方法研究了 IV-VI 族化合物在动态晶格形变下拓扑绝缘相的发展。与平衡条件下拓扑相的静态状态不同，我们表明非平凡拓扑相是由选择性声子模式的动态晶格形变在化合物中诱导产生的。时间反演极化的计算表明，化合物的 不变量因选择性声子模式的原子位移而发生翻转，并且化合物在动态晶格形变下表现出振荡的拓扑相。我们的结果表明，固体中的元激发可以触发平凡带绝缘体中的拓扑相。
引用
@article{arxiv.1308.0434,
title = {Phonon-induced topological insulating phases in group IV-VI semiconductors},
author = {Jinwoong Kim and Seung-Hoon Jhi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.0434},
year = {2015}
}
备注
15 pages, 4 figures