声子霍尔效应的拓扑本质
材料科学
2011-01-28 v3 介观与纳米尺度物理
统计力学
综合物理
摘要
我们提供了对具有Raman自旋-声子耦合的电介质中声子霍尔效应的拓扑理解。基于能带结构的Berry曲率，得到了声子霍尔电导率的一般表达式。我们发现声子霍尔电导率随磁场的变化呈现非单调行为。此外，我们观察到声子霍尔效应中的相变，该相变对应于能带拓扑的突变，以整数Chern数的改变为特征。这可以通过声子带的接触和分裂来解释。
引用
@article{arxiv.1008.0458,
title = {Topological Nature of the Phonon Hall Effect},
author = {Lifa Zhang and Jie Ren and Jian-Sheng Wang and Baowen Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1008.0458},
year = {2011}
}
备注
12 pages, 4 figures. Detailed supplementary file is included