碳纳米管中源于贝里曲率的霍尔电导
介观与纳米尺度物理
2011-05-25 v1
摘要
我们解析地证明，在存在垂直于管轴的电场和磁场的情况下，原本金属性纳米管的电子能谱中会在狄拉克点附近诱导出一个能隙。对于实际的场值，至少会出现几 meV 的能隙。尽管该系统具有准一维性质，这一有能隙态却与一个非零的拓扑不变量相关联，并支持霍尔效应。当穿过管子的磁通量改变一个磁通量子时，这一点得以揭示，它导致恰好每个自旋有一个电子在管子的两端之间输运。
引用
@article{arxiv.1105.4758,
title = {Hall conductance from Berry curvature in carbon nanotubes},
author = {J. D. Brand and I. Snyman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1105.4758},
year = {2011}
}
备注
5 pages, 3 figures