拓扑绝缘体纳米带中的量子反常霍尔边缘态
介观与纳米尺度物理
2016-10-05 v1
摘要
我们提出了在量子反常霍尔效应（QAHE）体系中，局域于磁性掺杂BiSe族拓扑绝缘体纳米带侧壁上的手性一维电子气系统的微观理论。我们的理论基于简单的侧壁态连续模型，其参数提取自详细的纳米带和薄膜几何紧束缚模型计算。与半导体量子阱中熟悉的量子霍尔效应不同，微观手性通道的数目简单地、系统地依赖于纳米带厚度以及费米能级在表面态能隙中的位置。我们利用该理论解释了近期输运实验中在具有精确量子化霍尔电导的样品里表现出非零纵向电阻的现象。
引用
@article{arxiv.1603.07594,
title = {Quantum Hall Edge States in Topological Insulator Nanoribbons},
author = {A. Pertsova and C. M. Canali and A. H. MacDonald},
journal= {arXiv preprint arXiv:1603.07594},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 4 figures