量子反常霍尔效应中沿磁畴壁的手性输运

近期对三维铁磁拓扑绝缘体 (MTI) (Cr$_y$Bi$_x$Sb$_{1-x-y}$)$_2$Te$_3$ 薄膜中量子反常霍尔 (QAH) 效应的预测及随后的发现，为零外磁场下基于手性边缘态的器件开辟了新的可能性。与 $\nu=1$ 量子霍尔系统类似，QAH 系统被预测具有一个沿薄膜边界环行的单一手性边缘模式。该手性边缘模式的背散射应被抑制，这最近已通过观测到良好量子化的霍尔电阻率 $\rho_{yx} = \pm h/e^2$ 以及低至几欧姆的纵向电阻率得到证实。预期沿磁畴壁也会发生无耗散的一维传导。在此，我们有意在 MTI 中创建一个磁畴壁，并研究沿该畴壁的电输运。我们首次观测到了沿畴壁的手性输运，与理论预测相符。我们提供了进一步的证据，表明两种模式达到平衡并沿畴壁长度方向共同传播。