从分数陈绝缘体到分数量子自旋霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2012-01-19 v3 强关联电子
摘要
我们研究了平带能带的代数结构，其部分填充可能引发分数量子反常霍尔效应（或分数陈绝缘体）和分数量子自旋霍尔效应。这两种效应都出现在能带足够平坦且贝里曲率大致平坦均匀的情况下，使得作为拓扑不变量的全局陈数可以与局域非对易几何相关联。这种几何类似于在强磁场中二维电子系统里更为人们所熟悉的分数量子霍尔效应的情况。
引用
@article{arxiv.1107.1986,
title = {From Fractional Chern Insulators to a Fractional Quantum Spin Hall Effect},
author = {M. O. Goerbig},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.1986},
year = {2012}
}
备注
8 pages, 3 figure; published version with labels in Figs. 2 and 3 corrected