分数量子填充陈能带的复合费米子
强关联电子
2011-09-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们探讨了在零外场下具有非平凡陈指数的分数量子填充能带是否也能展现分数量子霍尔效应（FQHE）的问题。数值研究提示这是可能的。解析处理因非零的能带色散和非恒定的贝里通量而变得复杂。我们提出将陈能带嵌入一个辅助的最低朗道能级（LLL）中，然后使用复合费米子。我们发现了一些在连续系统中没有对应物的态，这些态依赖于相互作用与晶格之间的相互影响。该方法可推广到二维时间反演不变拓扑绝缘体。
引用
@article{arxiv.1108.5501,
title = {Composite Fermions for Fractionally Filled Chern Bands},
author = {Ganpathy Murthy and R. Shankar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.5501},
year = {2011}
}
备注
4 pages, 2 figures. Many references added, two figures eliminated