分数量子陈绝缘体与 W-无穷代数
强关联电子
2012-06-26 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
一系列近期结果表明，二维陈绝缘体的分数填充能带支持分数量子霍尔态，类似于在分数填充朗道能级中发现的态。我们通过考察陈能带投影密度算符的代数结构，为这些结果提供了一种理解。我们发现，该代数在长波极限和恒定贝里曲率下闭合，此时它同构于由 Girvin、MacDonald 和 Platzman 首次指出的最低朗道能级投影密度的 W-无穷代数 [Phys. Rev. B 33, 2481 (1986)]。对于投影到陈能带的哈密顿量，这提供了一条在晶格上复现最低朗道能级物理的途径。
引用
@article{arxiv.1106.4025,
title = {Fractional Chern Insulators and the W-Infinity Algebra},
author = {S. A. Parameswaran and R. Roy and S. L. Sondhi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1106.4025},
year = {2012}
}
备注
4 pages; v2 contains minor changes, including brief discussion of disorder, version published in Phys. Rev. B (Rapid Communications)