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高Chern数莫尔平带中分数Chern绝缘体

强关联电子 2024-08-07 v1

摘要

近期发现的零场分数Chern绝缘体在莫尔材料中引发了浓厚的研究兴趣。然而,目前大多数理论与实验尝试都聚焦于低Chern数带,类似于劳安德斯能级。本文提出实现高Chern数分数Chern绝缘体的候选材料体系。该材料 setup 包含Γ\Gamma谷型扭曲双层过渡金属硫化物,近邻于天空子体晶格。天空子体交换势导致具有高Chern数 C=2C = -2 的平坦带。我们采用动量空间投影精确对角化方法,在 various 填充因子进行全面研究,确认了广义Jain系列。我们的研究为实现劳安德斯能级图景之外的非常规分数Chern绝缘体提供了理论指导。

关键词

引用

@article{arxiv.2408.03305,
  title  = {Fractional Chern insulators in moir\'e flat bands with high Chern numbers},
  author = {Chonghao Wang and Xiaoyang Shen and Ruiping Guo and Chong Wang and Wenhui Duan and Yong Xu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2408.03305},
  year   = {2024}
}

备注

6 pages, 4 figures