扭转同层双层 TMD 中的魔角与分数量子陈绝缘体

我们通过将扭转 K 谷同层双过渡金属硫族化合物的连续模型映射为朗道能级问题，解释了魔角与分数量子陈绝缘体的出现。我们的方法依赖于对层赝自旋场中价带空穴量子力学的绝热近似（在足够小扭转角下成立），以及最低朗道能级近似（在足够大扭转角下成立）。它简明地解释了为何最低莫尔微带在特定的平带扭转角处量子几何近乎理想，预测拓扑平带仅当谷依赖的莫尔势相对于层间隧穿幅值足够强时才会出现，并为相互作用研究提供了一个有力的出发点。