魔线附近莫尔过渡金属硫族化物中压力增强的分数量子陈绝缘体
强关联电子
2023-12-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们表明，对扭曲WSe施加压力可增强填充因子处分数量子陈绝缘体的多体能隙与稳定区域。我们的结果基于对连续模型的精确对角化，该模型的压力依赖性通过{\it ab initio}（第一性原理）方法获得。我们借助压力-扭转角相图中的{\it 魔线}来解释结果：沿魔线，最顶层莫尔价带的带宽被最小化，同时其量子几何近乎类似于理想陈带。我们预期我们的结果可推广到其他扭曲过渡金属硫族化物同质双层。
引用
@article{arxiv.2304.06669,
title = {Pressure--enhanced fractional Chern insulators in moir\'e transition metal dichalcogenides along a magic line},
author = {Nicolás Morales-Durán and Jie Wang and Gabriel R. Schleder and Mattia Angeli and Ziyan Zhu and Efthimios Kaxiras and Cécile Repellin and Jennifer Cano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.06669},
year = {2023}
}
备注
11 pages, 9 figures