理想分数量子霍尔绝缘体的能带结构工程
强关联电子
2017-10-31 v1 数学物理
math.MP
摘要
作为分数量子霍尔系统的晶格类比，分数量子霍尔绝缘体表现出由单体物理和多体物理之间复杂相互作用所产生的神秘物理性质。特别是，作为 FCI 宿主的理想 Chern 能带结构的设计需要综合考虑 Chern 能带的能量、拓扑和量子几何。我们设计了一种解析优化方案，生成满足能带平坦性、均匀 Berry 曲率和各向同性量子几何标准的典型 FCI 模型。这是通过采用跨越 Chern 能带基的 Bloch 态的全纯坐标表示来实现的。所得的 FCI 模型不仅尽管只有很少的可调参数却表现出广泛的可调性，而且适用于解析控制的截断方案，以适应对最大跳跃范围或密度-密度相互作用项的任何所需约束。总之，我们的方法为工程化理想 FCI 模型提供了一个起点，这些模型在面对由解析、数值或实验实现所施加的规格时具有鲁棒性。
引用
@article{arxiv.1703.08006,
title = {Band structure engineering of ideal fractional Chern insulators},
author = {Ching Hua Lee and Martin Claassen and Ronny Thomale},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.08006},
year = {2017}
}
备注
19 pages, 6 figures