强关联 $t_{2g}$ 电子三角晶格上的分数量子陈绝缘体
强关联电子
2015-03-20 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们讨论了描述半满附近三角晶格上 轨道的三轨道 Kondo 晶格和 Hubbard 模型的低能极限。我们分析了具有非平凡拓扑特征（陈数 C=1）的极平带如何在无限 onsite 相互作用极限以及更实际的机制中产生。随后使用精确对角化方法研究包含最近邻相互作用 的有效单带无自旋费米子模型的分数量子填充；结果显示了多个填充分数下的分数量子陈绝缘体 (FCIs) 特征。除了基于能量的指示（例如磁通插入和准空穴的分数统计）外，还获得了陈数。研究表明，FCIs 对定义能带拓扑特征的底层磁织构中的无序具有鲁棒性。我们还研究了 FCI 态与电荷密度波 (CDW) 之间的竞争，并讨论了粒子 - 空穴不对称性以及费米面嵌套。事实证明，FCI 态相当鲁棒，不需要极平的能带，但当填充或费米面嵌套的缺失不利于竞争的 CDW 时也会出现。尽管如此，极平的能带允许由比色散能带所需的相互作用更弱的相互作用诱导 FCI 态。
引用
@article{arxiv.1208.3481,
title = {Fractional Chern insulator on a triangular lattice of strongly correlated $t_{2g}$ electrons},
author = {Stefanos Kourtis and Jörn W. F. Venderbos and Maria Daghofer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.3481},
year = {2015}
}
备注
14 pages, 13 figures