面向染色体拓扑绝缘体的局部拓扑标记
介观与纳米尺度物理
2026-04-14 v1
摘要
局部拓扑标记用于表征在空间非均匀性(如边界和无序)存在下的 Chern 绝缘体。本文研究具有部分平移对称性系统中的局部 Chern 标记。我们在开放边界和周期边界条件下,对局部 Chern 标记进行混合位置-动量基下的表达。我们计算了 Haldane 模型染色体的局部 Chern 标记。我们指出,两种边界的行为在完全开放几何结构中呈现显著差异。我们进一步将局部 Chern 标记与局部 Středa 标记进行比较,显示在体积内两者一致,在边界上仅有小偏差,随系统规模增大而减小。在引入无序后,若其幅度保持在导致 Anderson 物理显著改变 Chern 数值的大值范围内,这两种标记之间的对应关系仍然良好。最后,利用部分平移对称性带来的数值效率,我们研究了弱无序 Qi-Wu-Zhang Chern 绝缘体中的平衡临界行为和 Kibble-Zurek 机制。我们从局部 Chern 标记配置中提取相关尺度临界指数,并表明随系统规模增大,它们收敛于解析预测的值。
引用
@article{arxiv.2604.10190,
title = {Local topological markers for Chern insulators in ribbon geometry},
author = {Maks Repše and Tomaž Rejec and Jernej Mravlje},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.10190},
year = {2026}
}
备注
9 pages, 12 figures