从高维陈绝缘体得到高阶拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2020-07-01 v1 材料科学
量子物理
摘要
拓扑绝缘体是一种新颖的物质态,具有一个共同特征:它们的能带谱关联于一个非局域的整数值拓扑不变量,通常表现为量子化的体现象和鲁棒的边界效应。在这项工作中,我们利用降维证明高阶拓扑绝缘体是高维手性半金属的衍生物。具体而言,我们分析了祖先四维陈绝缘体在手性极限下的衍生物,并展示它们与二维二阶拓扑绝缘体的关系。相应地,我们得到了二维衍生物在角上的电荷积累量子化,并将其与祖先模型的拓扑不变量——第一和第二陈数——相关联。我们的方法提供了高阶拓扑绝缘体的边界态与拓扑泵之间的关联——后者是高维陈绝缘体的动力学实现。
引用
@article{arxiv.1911.08461,
title = {High-order topological insulators from high-dimensional Chern insulators},
author = {Ioannis Petrides and Oded Zilberberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.08461},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 3 figures + supplementary material (8 pages), comments are welcome