四维高阶陈绝缘体及其声学实现
应用物理
2021-02-03 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
我们提出了一个同时作为四维（4D）陈绝缘体和高阶拓扑绝缘体（HOTI）的系统的理论研究与平面外实验实现。该系统维持（4-1）维手性拓扑超表面模（THMs）与（4-2）维手性拓扑表面模（TSMs）的共存。我们的研究表明，THMs 由第二陈数保护，而 TSMs 由一个由两个第一陈数组成的拓扑不变量保护，每个第一陈数属于存在于子维度中的陈绝缘体。在合成坐标固定时，THMs 和 TSMs 分别在实空间中表现为拓扑边缘模（TEMs）和拓扑角模（TCMs），并在二维声学晶格中被实验观测到。这些 TCMs 与量子化极化无关，使其与现有例子有本质区别。我们进一步表明，我们的四维拓扑系统为调控 TCMs 的频率、位置和数量提供了有效途径，这在应用中极为需要。
引用
@article{arxiv.1912.10267,
title = {Four-Dimensional Higher-Order Chern Insulator and Its Acoustic Realization},
author = {Ze-Guo Chen and Weiwei Zhu and Yang Tan and Licheng Wang and Guancong Ma},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.10267},
year = {2021}
}
备注
Main text 19 pages, 6 figures. Supplemental materials 18 pages, 12 figures