Chern 带绝缘体中的手性拓扑激子

一类被称为 Chern 带绝缘体的半导体被证明拥有具有非零拓扑 Chern 整数和手性激子边缘模的激子带。利用一个典型的双带 Chern 绝缘体模型，我们计算了互相关函数以获得激子带及其 Chern 整数。在电子 Chern 绝缘体相中，最低激子带获得诸如 $\pm 1$ 和 $\pm 2$ 的 Chern 整数。非平凡拓扑既可以通过激子边缘模的非局域光电响应，也可以通过体模引起的互相关响应中的相移在实验上观测到。我们的结果表明，磁性掺杂的 HgTe、InAs/GaSb 量子阱以及 $\text{(Bi,Sb)}_{2} \text{Te}_{3}$ 薄膜是拓扑激子学平台的有前途候选者。